STGB10M65DF2 时间：2025/7/22 7:58:31 阅读：8

STGB10M65DF2是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET模块，属于IGBT（绝缘栅双极型晶体管）与二极管集成的混合模块。该器件专为高效率、高可靠性要求的应用而设计，适用于电力电子领域中的多种功率转换设备。

参数

类型：IGBT与二极管混合模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：650V
　　最大集电极电流（IC）：10A
　　导通压降（VCE_sat）：约1.5V（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装形式：紧凑型双列直插封装（DIP）
　　栅极驱动电压：15V至20V
　　短路耐受能力：具备短路保护功能
　　二极管部分最大反向电压：650V
　　二极管部分最大正向电流：10A

特性

STGB10M65DF2具有高性能的IGBT与快速恢复二极管集成在一个模块内，显著提高了功率转换效率和系统集成度。其IGBT部分具备较低的导通压降和开关损耗，有助于减少整体功耗并提高热性能。
　　此外，该模块具备良好的短路保护能力，增强了系统在异常情况下的稳定性。其紧凑型封装设计便于安装，同时具备较高的热传导效率，适用于需要高功率密度的设计场景。
　　该器件的工作温度范围较宽，支持从-40°C到+150°C的环境温度下稳定运行，适合工业级和部分高可靠性应用场合。栅极驱动电压范围适中，兼容多种驱动电路设计，简化了外围电路的复杂度。
　　模块内部的二极管部分具备快速恢复特性，有助于减少反向恢复损耗，提高整体系统的响应速度和能效表现。

应用

STGB10M65DF2广泛应用于各种中低功率的电力电子设备中，包括但不限于变频器、逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动系统、工业自动化设备以及可再生能源系统如太阳能逆变器等。
　　在电机控制领域，该模块可用于实现高效的交流电机驱动，提供稳定的输出性能。在UPS系统中，它能够实现高效的直流-交流转换，确保电力中断时的无缝切换。
　　此外，该器件也适用于电焊机、感应加热设备和电动汽车充电系统等对功率控制有较高要求的应用场景。其紧凑的封装设计使其成为空间受限应用的理想选择。
　　由于其良好的热性能和可靠性，该模块也适合用于需要长时间稳定运行的工业控制和自动化系统中。