STG719STR是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高压MOSFET驱动器芯片,采用SO-8封装形式。该芯片主要用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT,适用于开关电源、电机控制以及各种需要高效驱动的应用场景。
STG719STR具有高边和低边驱动能力,能够承受高达600V的电压,并且内置了多种保护功能以提高系统的可靠性和安全性。此外,它还支持快速开关切换,从而降低功耗并提升效率。
工作电压:5.5V至18V
输出峰值电流:±4A
栅极驱动电压:最大20V
传播延迟:典型值50ns
耐压能力:600V
封装形式:SO-8
工作温度范围:-40℃至125℃
STG719STR是一款性能卓越的MOSFET驱动器,其主要特点包括:
1. 高压耐受能力,可直接应用于高电压环境,无需额外保护电路。
2. 快速开关速度,有效减少开关损耗,提升系统效率。
3. 内置死区时间控制功能,防止高边和低边同时导通导致的直通问题。
4. 提供短路保护和欠压锁定功能,增强系统可靠性。
5. 简化了PCB设计,因为SO-8封装体积较小,适合紧凑型设计需求。
6. 支持多种拓扑结构,如半桥、全桥等,适应性广泛。
STG719STR广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC转换器和DC-DC转换器。
2. 电机驱动与控制,例如无刷直流电机(BLDC)驱动器。
3. 逆变器和UPS系统。
4. LED驱动器和照明控制。
5. 各种工业自动化设备中的功率级控制。
6. 汽车电子中的负载开关控制。
STG719SRT,
IR2110,
FAN7382