类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：1200V
　　漏极电流(Id)：25A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.3Ω
　　栅极电荷(Qg)：约90nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247

STG3P3M25N120 MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，提供了卓越的导通性能和低导通电阻。这种设计使得器件在高电流条件下能够保持较低的功耗，从而提高了整体效率。此外，该器件的高耐压能力使其适用于高电压应用，如电源转换器和电动机控制。STG3P3M25N120还具有良好的热管理特性，能够在高温环境下稳定工作，确保系统的可靠性。其低栅极电荷和快速开关特性使得该器件在高频应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了系统的响应速度。
　　该MOSFET的封装设计便于散热，确保在高功率应用中的稳定性。TO-247封装提供了良好的热传导性能，允许器件在高电流条件下保持较低的温度。此外，STG3P3M25N120的宽工作温度范围使其能够在各种环境条件下可靠工作，从极端低温到高温环境均能保持稳定的性能。这些特性使得该器件在工业自动化、电源管理和电动车辆等领域具有广泛的应用前景。

STG3P3M25N120 MOSFET广泛应用于高电压和高电流的电力电子系统中。常见的应用包括开关电源、逆变器、电动机驱动器和电池管理系统。在工业自动化领域，该器件可用于控制高功率负载，如电动机和加热元件。在电动车辆和可再生能源系统中，STG3P3M25N120可用于功率转换和能量管理，提高系统的整体效率和可靠性。此外，该器件还可用于高电压直流-直流转换器和不间断电源（UPS）系统，确保在各种工作条件下的稳定运行。

STG3P3M25N120K, STG3P3M25N120S