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STG3P3M25N120 发布时间 时间:2025/7/16 17:43:46 查看 阅读:8

STG3P3M25N120是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电压和高电流应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术,提供优异的导通电阻和开关性能,适用于各种工业和电力电子设备。STG3P3M25N120具有高耐压能力,能够承受高达1200V的漏源电压,并提供良好的热管理和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):1200V
  漏极电流(Id):25A
  导通电阻(Rds(on)):典型值0.3Ω
  栅极电荷(Qg):约90nC
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-247

特性

STG3P3M25N120 MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术,提供了卓越的导通性能和低导通电阻。这种设计使得器件在高电流条件下能够保持较低的功耗,从而提高了整体效率。此外,该器件的高耐压能力使其适用于高电压应用,如电源转换器和电动机控制。STG3P3M25N120还具有良好的热管理特性,能够在高温环境下稳定工作,确保系统的可靠性。其低栅极电荷和快速开关特性使得该器件在高频应用中表现出色,减少了开关损耗并提高了系统的响应速度。
  该MOSFET的封装设计便于散热,确保在高功率应用中的稳定性。TO-247封装提供了良好的热传导性能,允许器件在高电流条件下保持较低的温度。此外,STG3P3M25N120的宽工作温度范围使其能够在各种环境条件下可靠工作,从极端低温到高温环境均能保持稳定的性能。这些特性使得该器件在工业自动化、电源管理和电动车辆等领域具有广泛的应用前景。

应用

STG3P3M25N120 MOSFET广泛应用于高电压和高电流的电力电子系统中。常见的应用包括开关电源、逆变器、电动机驱动器和电池管理系统。在工业自动化领域,该器件可用于控制高功率负载,如电动机和加热元件。在电动车辆和可再生能源系统中,STG3P3M25N120可用于功率转换和能量管理,提高系统的整体效率和可靠性。此外,该器件还可用于高电压直流-直流转换器和不间断电源(UPS)系统,确保在各种工作条件下的稳定运行。

替代型号

STG3P3M25N120K, STG3P3M25N120S