时间：2025/7/23 12:11:37
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STFW69N65M5 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高功率N沟道MOSFET，采用先进的MDmesh M5技术，旨在提供更低的导通电阻和开关损耗，适用于高效率电源转换系统。该器件具有较高的耐用性和可靠性，广泛应用于工业电源、服务器电源、电信设备和功率因数校正（PFC）电路中。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：69A
漏极-源极电压（Vds）：650V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大值65mΩ
功率耗散（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
STFW69N65M5 采用ST的MDmesh M5技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET的超结（Super Junction）结构优化了开关性能，降低了开关损耗，使得该器件在高频开关应用中表现出色。
该器件的高耐用性设计使其在极端工作条件下仍能保持稳定运行，具有较高的热稳定性和抗雪崩能力。其TO-247封装形式具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
STFW69N65M5 的栅极驱动电压范围宽，支持标准（10V）和逻辑电平（5V）驱动，增强了其在不同控制电路中的适用性。同时，其快速恢复体二极管减少了反向恢复损耗，提高了整体系统效率。
这款MOSFET还具备高dv/dt抗扰能力，适用于高噪声环境，确保了在复杂电磁环境下的稳定运行。
STFW69N65M5 主要用于高功率电源转换系统，包括工业电源、服务器电源、电信电源设备以及功率因数校正（PFC）电路。此外，它也适用于DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电机驱动控制电路等高效率、高可靠性要求的应用场景。
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