STFW3N150 时间：2025/7/23 5:56:05 阅读：4

STFW3N150是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道功率MOSFET。该器件适用于多种高功率应用场景，具有优异的导通性能和热稳定性。STFW3N150采用了先进的技术，确保在高电压和高电流环境下仍能保持出色的效率和可靠性，是电源管理和功率转换应用的理想选择。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：1500V
　　最大漏极电流（Id）：3A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.8Ω
　　最大功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220FP
　　栅极电荷（Qg）：典型值为38nC
　　漏源击穿电压（BVDSS）：1500V
　　漏极-源极饱和电流（Idss）：3A

特性

STFW3N150采用了先进的制造工艺，确保了器件在高电压和大电流条件下的稳定性和可靠性。其低导通电阻可以有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有优异的热性能，能够在高温环境下保持稳定工作。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，适用于各种恶劣的工作条件。STFW3N150的封装设计优化了散热性能，使其能够适应高功率密度的设计需求。
　　此外，该MOSFET的栅极驱动特性优化，降低了开关损耗，提高了系统的整体效率。其高耐压特性也使其在高压电源和工业应用中表现出色。

应用

STFW3N150广泛应用于高压电源、DC-DC转换器、电机驱动器、工业自动化设备、电池管理系统以及高功率LED照明系统。由于其高耐压和良好的导通性能，该器件特别适合用于需要高可靠性和高效率的功率转换和控制电路。
　　在消费电子、工业控制和汽车电子等领域，STFW3N150可用于电源管理、开关电源（SMPS）、逆变器和电机控制等应用。其优异的热稳定性和抗过载能力使其在高温环境下也能保持稳定的性能。