STFU14N80K5 时间：2025/7/22 13:42:43 阅读：10

STFU14N80K5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高电压N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高功率和高效率应用，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制和照明系统。STFU14N80K5采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：14A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.55Ω（最大值0.65Ω）
　　功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220FP
　　栅极电荷（Qg）：34nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1000pF（典型值）
　　漏源击穿电压（BVdss）：800V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V至4.0V

特性

STFU14N80K5具有多项先进的电气和热性能，确保其在高压和高功率应用中的可靠性。其主要特性包括：
　　? 高耐压能力：800V的漏源电压额定值使其适用于高输入电压的电源转换系统。
　　? 低导通电阻：Rds(on)最大值为0.65Ω，降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　? 高电流能力：14A的连续漏极电流能力使其适用于中高功率的开关应用。
　　? 快速开关性能：较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于提高开关速度，降低开关损耗。
　　? 热稳定性好：TO-220FP封装提供了良好的散热性能，确保在高功率下稳定运行。
　　? 宽工作温度范围：支持-55°C至+150°C的温度范围，适用于各种恶劣环境条件。
　　? 高抗雪崩能力：该器件具有优异的抗雪崩能量能力，增强了在高能量瞬态条件下的可靠性。
　　? 简单的栅极驱动要求：±30V的栅源电压额定值允许使用标准的驱动电路。

应用

STFU14N80K5广泛应用于多种高功率电子系统中，包括：
　　? 开关电源（SMPS）：用于AC-DC转换器中的主开关元件，提供高效率和高可靠性。
　　? 直流-直流转换器：适用于隔离式和非隔离式DC-DC转换电路，如升压（Boost）、降压（Buck）和反激式（Flyback）拓扑。
　　? 电机控制：用于电机驱动器中的功率开关，实现高效的速度和转矩控制。
　　? 照明系统：如LED驱动器和高频镇流器，提供稳定的电流和电压控制。
　　? 工业自动化：用于工业控制设备中的电源管理和负载开关应用。
　　? 家用电器：如微波炉、洗衣机和空调等家电产品中的功率控制模块。
　　? 电池管理系统：用于电池充放电控制电路中，实现高效能的能量管理。