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STFU14N80K5 发布时间 时间:2025/7/22 13:42:43 查看 阅读:6

STFU14N80K5是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高电压N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高功率和高效率应用,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机控制和照明系统。STFU14N80K5采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能,能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):800V
  连续漏极电流(Id)@25°C:14A
  栅源电压(Vgs):±30V
  导通电阻(Rds(on)):典型值0.55Ω(最大值0.65Ω)
  功耗(Ptot):125W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220FP
  栅极电荷(Qg):34nC(典型值)
  输入电容(Ciss):1000pF(典型值)
  漏源击穿电压(BVdss):800V
  阈值电压(Vgs(th)):2.0V至4.0V

特性

STFU14N80K5具有多项先进的电气和热性能,确保其在高压和高功率应用中的可靠性。其主要特性包括:
  ? 高耐压能力:800V的漏源电压额定值使其适用于高输入电压的电源转换系统。
  ? 低导通电阻:Rds(on)最大值为0.65Ω,降低了导通损耗,提高了系统效率。
  ? 高电流能力:14A的连续漏极电流能力使其适用于中高功率的开关应用。
  ? 快速开关性能:较低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),有助于提高开关速度,降低开关损耗。
  ? 热稳定性好:TO-220FP封装提供了良好的散热性能,确保在高功率下稳定运行。
  ? 宽工作温度范围:支持-55°C至+150°C的温度范围,适用于各种恶劣环境条件。
  ? 高抗雪崩能力:该器件具有优异的抗雪崩能量能力,增强了在高能量瞬态条件下的可靠性。
  ? 简单的栅极驱动要求:±30V的栅源电压额定值允许使用标准的驱动电路。

应用

STFU14N80K5广泛应用于多种高功率电子系统中,包括:
  ? 开关电源(SMPS):用于AC-DC转换器中的主开关元件,提供高效率和高可靠性。
  ? 直流-直流转换器:适用于隔离式和非隔离式DC-DC转换电路,如升压(Boost)、降压(Buck)和反激式(Flyback)拓扑。
  ? 电机控制:用于电机驱动器中的功率开关,实现高效的速度和转矩控制。
  ? 照明系统:如LED驱动器和高频镇流器,提供稳定的电流和电压控制。
  ? 工业自动化:用于工业控制设备中的电源管理和负载开关应用。
  ? 家用电器:如微波炉、洗衣机和空调等家电产品中的功率控制模块。
  ? 电池管理系统:用于电池充放电控制电路中,实现高效能的能量管理。

替代型号

STF14N80K5, STP14N80K5, FQP14N80, IRF840, STW14N80K5

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STFU14N80K5参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥16.02199管件
  • 系列MDmesh? K5
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)800 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)445 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)620 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)30W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220FP
  • 封装/外壳TO-220-3 整包