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STFU13N65M2 发布时间 时间:2025/5/30 16:08:53 查看 阅读:10

STFU13N65M2 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高压 MOSFET,属于 MDmesh? M2 系列。该系列器件通过优化的单元结构和终端设计,在高电压应用中提供出色的性能和可靠性。STFU13N65M2 采用 N 沟道技术,额定电压为 650V,适用于开关电源、电机控制、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
  该器件具有较低的导通电阻和栅极电荷,有助于,它还具备快速开关能力和较强的雪崩能量能力,能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。

参数

额定电压:650V
  最大漏源电流:13A
  导通电阻(典型值):480mΩ
  栅极电荷(Qg):35nC
  输入电容(Ciss):2200pF
  输出电容(Coss):70pF
  总雪崩能量(Eas):95mJ
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-220

特性

1. 额定电压高达 650V,适合高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻(典型值为 480mΩ),可显著降低传导损耗。
  3. 快速开关特性,有助于减少开关损耗。
  4. 较低的栅极电荷(35nC),简化驱动设计并降低驱动功耗。
  5. 强大的雪崩能量能力(95mJ),提高系统在异常条件下的鲁棒性。
  6. 工作温度范围广(-55℃ 至 +150℃),适应各种环境条件。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的功率因数校正(PFC)电路。
  2. DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  5. 各种工业自动化和家电应用中的功率管理模块。
  6. 电动车充电器及电池管理系统中的关键组件。

替代型号

STFU16N65M2
  STGFS4N65DM2
  STGFS6N65DM2

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STFU13N65M2参数

  • 现有数量983现货
  • 价格1 : ¥17.89000管件
  • 系列MDmesh? M2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)430 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)17 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)590 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)25W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220FP
  • 封装/外壳TO-220-3 整包