STFU13N65M2 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高压 MOSFET,属于 MDmesh? M2 系列。该系列器件通过优化的单元结构和终端设计,在高电压应用中提供出色的性能和可靠性。STFU13N65M2 采用 N 沟道技术,额定电压为 650V,适用于开关电源、电机控制、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
该器件具有较低的导通电阻和栅极电荷,有助于,它还具备快速开关能力和较强的雪崩能量能力,能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
额定电压:650V
最大漏源电流:13A
导通电阻(典型值):480mΩ
栅极电荷(Qg):35nC
输入电容(Ciss):2200pF
输出电容(Coss):70pF
总雪崩能量(Eas):95mJ
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-220
1. 额定电压高达 650V,适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻(典型值为 480mΩ),可显著降低传导损耗。
3. 快速开关特性,有助于减少开关损耗。
4. 较低的栅极电荷(35nC),简化驱动设计并降低驱动功耗。
5. 强大的雪崩能量能力(95mJ),提高系统在异常条件下的鲁棒性。
6. 工作温度范围广(-55℃ 至 +150℃),适应各种环境条件。
7. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率因数校正(PFC)电路。
2. DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 各种工业自动化和家电应用中的功率管理模块。
6. 电动车充电器及电池管理系统中的关键组件。
STFU16N65M2
STGFS4N65DM2
STGFS6N65DM2