时间：2025/6/17 16:28:31
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STFU11N65M2是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压MOSFET器件，属于MDmesh M2系列。该器件采用N沟道增强型技术设计，适用于高频开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高电压和低导通电阻的应用场景。
STFU11N65M2具有650V的击穿电压，能够承受较高的漏源电压。其典型导通电阻为1.1Ω，确保了较低的传导损耗，从而提高系统效率。
额定电压：650V
最大电流：11A
导通电阻：1.1Ω
栅极电荷：39nC
总栅极电荷：47nC
输出电容：285pF
输入电容：1440pF
结温范围：-55℃至175℃
STFU11N65M2采用先进的MDmesh技术制造，具有以下关键特性：
1. 高击穿电压（650V），适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（1.1Ω），可有效降低功率损耗。
3. 超低栅极电荷，优化了开关性能并减少了开关损耗。
4. 工作温度范围宽广，能够在极端条件下稳定运行。
5. 采用TO-220封装形式，便于散热及电路布局。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
这些特性使得该器件非常适合于要求高效能和高可靠性的电力电子应用。
STFU11N65M2广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 不间断电源（UPS）
6. 电动车充电设备
7. 家用电器中的功率管理模块
由于其出色的电气特性和可靠性，该器件成为众多工业和消费类应用的理想选择。
STFP11N65M2
STGU11N65M2
STGPA11NF65
