时间：2025/6/12 14:33:32
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STFU10N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件主要适用于高电压、中等功率的应用场景，例如开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等。其额定耐压为800V，持续漏极电流为10A（在25℃条件下），并具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
STFU10N80K5采用TO-247封装形式，便于散热设计，并且具备出色的雪崩能力和低电容特性，从而使其在高频应用中表现出色。
最大漏源电压：800V
最大连续漏极电流：10A
最大漏源导通电阻：3.6Ω
栅极阈值电压：4V
输入电容：380pF
总功耗：180W
工作结温范围：-55℃至+150℃
STFU10N80K5具有以下显著特点：
1. 高击穿电压：800V，确保其能在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：典型值为3.6Ω，在同级别产品中表现优异，降低了导通损耗。
3. 快速开关性能：由于其优化的内部结构，开关时间较短，有助于减少开关损耗。
4. 高雪崩能量能力：即使在瞬态过压情况下，器件也能保持可靠性。
5. 小型化封装：TO-247封装不仅提供了良好的散热性能，还节省了电路板空间。
6. 宽温范围支持：可承受从-55℃到+150℃的工作环境，适用于各种严苛条件下的应用。
STFU10N80K5广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器：提供高效的电压转换功能。
3. 电机驱动：控制直流电机或步进电机的运行。
4. 工业设备：如焊接机、不间断电源（UPS）系统。
5. 照明系统：包括LED驱动器和其他类型的电子镇流器。
6. 汽车电子：适配于某些汽车启动和保护电路中。
STG20N80DF,
FDP15N80E,
IRFBC20N80,
IXFH20N80T,
STFG15N80D2
