时间：2025/7/23 7:47:40
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STFI8N80K5 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电压、高电流的应用场景设计，具备良好的热稳定性和开关性能，适用于各种电源转换和功率控制场合。
类型：N沟道
最大漏极电流：8A
最大漏源电压：800V
最大栅源电压：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.1Ω @ Vgs=10V
功率耗散：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220FP
STFI8N80K5 具备多项优良特性。首先，其高耐压能力（800V）使其适用于高压功率转换应用，例如开关电源、适配器和充电器。其次，该器件的导通电阻较低，在10V栅极电压下典型值为1.1Ω，从而降低了导通损耗，提高了能效。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和散热能力，采用TO-220FP封装，有助于在高负载条件下维持稳定的运行。
STFI8N80K5 的开关性能优异，具备快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频工作环境。此外，其栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路设计，简化了系统设计复杂度。同时，该器件具备高雪崩能量承受能力，提升了在异常工况下的可靠性与安全性。
STFI8N80K5 常用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、LED驱动器、DC-DC转换器、电机控制电路、电池充电器以及工业自动化控制系统。此外，该MOSFET也广泛应用于消费类电子产品和工业设备中的电源管理模块，满足高效率、小型化和高可靠性的设计需求。
STP8NK80Z, FQA8N80C, IRF840, STW8NK80Z
