时间：2025/7/22 16:16:39
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STFI15NM65N 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高电压、高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。这款晶体管专为高压、高效率功率转换应用而设计，适用于如电源供应器、DC-AC逆变器、马达控制以及工业自动化设备等场景。STFI15NM65N采用先进的超结（Super Junction）技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较快的开关速度，从而提高了整体系统效率并减少了散热需求。该器件的封装形式为TO-220，便于安装在散热片上，以确保在高功率工作时的热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏极-源极电压（VDS）：650V
最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：45nC
功耗（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：TO-220
STFI15NM65N 的核心优势在于其采用了超结MOSFET技术，这种技术显著降低了导通电阻，同时保持了较高的击穿电压能力，从而实现更高的功率密度和更低的能量损耗。
其主要特性之一是低导通电阻（Rds(on)），在VGS=10V时仅为0.45Ω，这使得在相同电流下导通损耗更低，从而提高了系统效率。
此外，该器件具有良好的热稳定性，额定功耗为150W，且封装形式为TO-220，便于与散热片配合使用，有效控制温度上升。
该MOSFET的开关速度快，栅极电荷（Qg）仅为45nC，有助于减少开关损耗，提高工作频率，从而实现更紧凑的电源设计。
STFI15NM65N 还具备较高的短路耐受能力和雪崩能量承受能力，使其在恶劣工作条件下仍能保持稳定运行。
另外，±30V的栅极-源极电压耐受能力提供了更强的抗干扰能力，减少了栅极驱动电路的设计难度。
STFI15NM65N 主要用于中高功率级别的电力电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、工业电源、LED照明驱动器、DC-DC转换器、AC-DC适配器等。
由于其高电压和高电流承载能力，该器件也常用于逆变器系统，如太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统以及马达驱动器等应用。
在家电领域，它可用于高效变频空调压缩机驱动、电磁炉电源控制等场合。
同时，该MOSFET的高效率特性使其成为工业自动化设备中电源模块和功率控制模块的理想选择。
此外，STFI15NM65N 还可作为高压侧开关用于桥式拓扑结构，如半桥或全桥电路中，支持高频开关操作，从而实现更小体积的功率转换器。
STF20NM65N, STF15NM65D, STF15SM65DM2, FQA16N65C, IPW65R045CFD7S
