STF7NM80 时间：2025/7/23 8:33:03 阅读：5

STF7NM80是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的STripFET F7技术制造。该器件设计用于高功率开关应用，具备优异的导通性能和热稳定性。STF7NM80的漏源电压（VDS）为800V，连续漏极电流（ID）在25°C时可达7A，适合用于高电压、中等功率的电源管理系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID @25°C）：7A
　　漏极峰值电流（IDM）：28A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.2Ω @VGS=10V
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK

特性

STF7NM80采用了STMicroelectronics的第七代超级结（Super Junction）技术，这种技术显著降低了导通电阻（RDS(on)）并提高了开关性能，从而在高电压应用中实现更高的能效。该器件的低导通损耗和开关损耗使其非常适合用于高频率开关电源（SMPS）、LED照明、光伏逆变器和电机控制等应用。此外，STF7NM80具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，提高了系统的可靠性和寿命。其高雪崩能量能力也确保了在瞬态过载条件下的安全性。
　　STF7NM80的封装设计也考虑到了热管理的需求，TO-220和D2PAK封装都具有良好的散热性能，便于在PCB上安装和使用。此外，该器件的栅极驱动要求相对较低，能够与常见的控制器和驱动IC兼容，简化了设计过程。

应用

STF7NM80广泛应用于多种高电压和中等功率的电源管理系统中，包括开关电源（SMPS）、LED驱动器、光伏逆变器、电机控制和工业自动化设备。在LED照明应用中，STF7NM80可以用于高效率的恒流驱动电路，提供稳定的输出和较长的LED寿命。在光伏逆变器中，该器件可用于DC-AC转换电路，实现高效的太阳能能量转换。此外，STF7NM80也可用于电池充电器、UPS（不间断电源）系统和电能质量调节设备中，提供可靠的开关性能和高效的能量传输。