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STF6N60M2 发布时间 时间:2025/4/30 21:06:40 查看 阅读:7

STF6N60M2 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款 N 沣道 MOSFET 功率晶体管。该器件采用了 MDmesh M2 技术,优化了导通电阻和开关性能,适用于高效率功率转换应用。其封装形式为 TO-220AC,适合表面贴装和通孔安装,广泛用于开关电源、电机驱动和逆变器等场景。
  STF6N60M2 的主要特点是高电压耐受能力(600V)、低导通电阻(典型值为 1.1Ω)以及优异的热性能表现,使其成为工业级和消费级应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻(RDS(on)):1.1Ω(典型值,在 VGS=10V 时)
  栅极电荷:29nC(典型值)
  输入电容:1380pF(典型值)
  总耗散功率:150W(在 Tc=25℃ 时)
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220AC

特性

1. 高电压耐受能力,额定漏源电压高达 600V,适用于高压环境下的功率转换应用。
  2. 采用先进的 MDmesh M2 技术,具有较低的导通电阻和较高的效率。
  3. 栅极电荷较小,有助于降低开关损耗,提升系统整体能效。
  4. 热性能优越,能够承受较高的功耗,确保在高温条件下稳定运行。
  5. 宽工作结温范围,支持从 -55℃ 到 +175℃ 的极端温度条件。
  6. 兼容多种应用领域,包括但不限于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和逆变器等。

应用

STF6N60M2 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计,如适配器、充电器和工业电源。
  2. DC-DC 转换器,用于电池管理系统和汽车电子设备。
  3. 电机驱动电路,控制各类交流和直流电机。
  4. 逆变器设计,包括太阳能逆变器和其他能源转换系统。
  5. 各类需要高电压、低损耗功率管理的应用场景。

替代型号

STF6N60M3, STF6N60D, IRF640

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STF6N60M2参数

  • 现有数量1,888现货
  • 价格1 : ¥13.28000管件
  • 系列MDmesh? II Plus
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.2 欧姆 @ 2.25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)232 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)20W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220FP
  • 封装/外壳TO-220-3 整包