STF6N60M2 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款 N 沣道 MOSFET 功率晶体管。该器件采用了 MDmesh M2 技术,优化了导通电阻和开关性能,适用于高效率功率转换应用。其封装形式为 TO-220AC,适合表面贴装和通孔安装,广泛用于开关电源、电机驱动和逆变器等场景。
STF6N60M2 的主要特点是高电压耐受能力(600V)、低导通电阻(典型值为 1.1Ω)以及优异的热性能表现,使其成为工业级和消费级应用的理想选择。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:6A
导通电阻(RDS(on)):1.1Ω(典型值,在 VGS=10V 时)
栅极电荷:29nC(典型值)
输入电容:1380pF(典型值)
总耗散功率:150W(在 Tc=25℃ 时)
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-220AC
1. 高电压耐受能力,额定漏源电压高达 600V,适用于高压环境下的功率转换应用。
2. 采用先进的 MDmesh M2 技术,具有较低的导通电阻和较高的效率。
3. 栅极电荷较小,有助于降低开关损耗,提升系统整体能效。
4. 热性能优越,能够承受较高的功耗,确保在高温条件下稳定运行。
5. 宽工作结温范围,支持从 -55℃ 到 +175℃ 的极端温度条件。
6. 兼容多种应用领域,包括但不限于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和逆变器等。
STF6N60M2 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计,如适配器、充电器和工业电源。
2. DC-DC 转换器,用于电池管理系统和汽车电子设备。
3. 电机驱动电路,控制各类交流和直流电机。
4. 逆变器设计,包括太阳能逆变器和其他能源转换系统。
5. 各类需要高电压、低损耗功率管理的应用场景。
STF6N60M3, STF6N60D, IRF640