时间：2025/4/28 19:49:01
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STF4N80K5是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动以及各种需要高效功率转换的场合。
STF4N80K5的设计注重提升效率和减少能量损耗，同时保证在高频工作环境下的稳定性和可靠性。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：4A
导通电阻（典型值）：1.9Ω
栅极电荷：30nC
总功耗：75W
结温范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：TO-220
STF4N80K5具有以下显著特性：
1. 低导通电阻设计，能够有效降低传导损耗。
2. 高速开关性能，适用于高频应用场合。
3. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持高性能。
4. 小型化封装，便于安装和集成到各类电路中。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 提供优异的电气保护功能，如过流保护和短路耐受能力。
STF4N80K5适用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. 电机驱动和控制电路。
3. DC-DC转换器和升压/降压电路。
4. 各类工业设备中的功率管理模块。
5. 消费类电子产品的适配器和充电器。
6. 照明系统中的驱动电路，例如LED驱动器。
IRF540N
STP4NB80Z
FDP15U80B
