时间：2025/7/23 14:12:53
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STF45N65M5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET，专为高效率、高频率的开关应用而设计。该器件采用先进的超级结（Super Junction）技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高击穿电压和出色的热稳定性。STF45N65M5通常用于电源转换器、DC-DC转换器、AC-DC电源、电机控制和照明系统等应用中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：45A
最大漏-源电压（Vds）：650V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大0.045Ω
功率耗散（Ptot）：180W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220FP
STF45N65M5 MOSFET具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其采用超级结技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。这种低Rds(on)特性在高电流应用中尤为重要，因为它可以降低MOSFET在导通状态下的功耗，减少发热并提高系统稳定性。
其次，该器件具有高达650V的漏-源击穿电压，适用于高压应用，同时具备±20V的栅极电压耐受能力，提高了栅极驱动的灵活性。其高电流处理能力（最大45A）使其适用于大功率电源转换和电机控制应用。
此外，STF45N65M5采用TO-220FP封装，具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持较低的工作温度。其热阻（Rth）较低，有助于提高器件在高功率密度设计中的可靠性。
该MOSFET还具备快速开关特性，能够支持高频操作，从而减小外部无源元件的尺寸和重量，提高整体系统的效率。这使其特别适合用于高频率的DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路和SMPS（开关模式电源）设计中。
最后，STF45N65M5的耐用性和稳定性使其在苛刻的工业环境中也能可靠工作。其具备良好的抗雪崩能力和过载保护能力，能够承受瞬时过电压和过电流的情况，从而延长器件的使用寿命。
STF45N65M5广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。主要应用包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动器、照明系统（如LED驱动电源）、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。此外，该器件也常用于高电压输入条件下的电源适配器和电池充电器设计中。
IPW65R045CFD, STD45N65M5, STF40N65DM2, STF45N60DM2
