时间：2025/12/24 19:46:20
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STF42N60M2-EP 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能功率MOSFET，属于ST的第二代超级结MOSFET系列。该器件专为高效率、高频开关应用设计，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于电源转换、DC-AC逆变器、电机控制和工业自动化等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：42A
导通电阻(Rds(on))：0.115Ω @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg)：95nC
最大功率耗散(Pd)：200W
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
STF42N60M2-EP 具备多项优异特性，使其在高功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET采用了先进的超级结技术，使器件在高压下仍具有良好的导电性能，并有效降低了开关损耗。
此外，该器件具有高雪崩能量承受能力，增强了在恶劣工作环境下的可靠性和耐用性。其TO-247封装形式提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于高功率密度设计。栅极驱动电压范围宽，通常在10V至15V之间，便于与多种驱动电路兼容，确保快速开关响应。
STF42N60M2-EP 还具备良好的短路耐受能力，能够在短暂的过载条件下保持稳定运行，适用于工业电源、太阳能逆变器、UPS系统、电池充电器和电机控制等应用。该器件在高频开关条件下仍能保持稳定性能，有助于减小外围元件尺寸，提升系统整体效率。
STF42N60M2-EP 适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：电源供应器、DC-AC逆变器、电机驱动与控制、工业自动化设备、UPS不间断电源、光伏逆变器、LED照明驱动电源、电动车充电系统、电焊设备和变频器等。其高效能和高可靠性的特性使其成为许多工业和消费类电力电子设备中的理想选择。
STF42N60DM2、STW42N60DM2、STF45N60DM2、SPW47N60CFD、FD4232
