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STF2N95K5 发布时间 时间:2025/7/23 22:33:19 查看 阅读:3

STF2N95K5是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高压高功率应用设计。该器件采用先进的技术,具有优异的导通电阻、开关性能和热稳定性,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统以及其他需要高效能功率开关的场合。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):2A
  最大漏源电压(VDS):950V
  最大栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为4.5Ω(在VGS=10V时)
  功率耗散(PD):30W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220、D2PAK等

特性

STF2N95K5具备多项优异特性,确保其在各种高压应用中稳定可靠地工作。首先,其低导通电阻(RDS(on))有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具有快速开关能力,降低了开关损耗,适用于高频开关应用。STF2N95K5还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下保持性能稳定,提高了系统的可靠性和寿命。
  该MOSFET的栅极氧化层经过优化设计,具备较高的栅极耐用性,能够承受较大的栅极电压波动而不损坏。其封装形式如TO-220和D2PAK提供了良好的散热性能,有助于在高功率应用中有效管理热量。此外,STF2N95K5的结构设计优化了电磁干扰(EMI)性能,减少了高频开关过程中产生的噪声,有助于满足电磁兼容性(EMC)标准。

应用

STF2N95K5广泛应用于多种高压和高功率电子系统中。常见的应用包括AC-DC电源转换器、高压DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器、LED照明驱动电路、智能电表和工业自动化设备中的功率开关控制。此外,该器件也可用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)系统以及电动工具和电动车的功率控制系统中。
  在电源管理领域,STF2N95K5可用于构建高效的开关电源(SMPS),提高能源利用率并减少热量产生。在电机控制应用中,该MOSFET能够提供稳定的功率输出,支持精确的电机速度和扭矩控制。在LED照明系统中,它可作为恒流驱动开关,确保光源的稳定性和长寿命。

替代型号

STF2N95K5可替代的型号包括STF2N95K3、STF2N95K8、IRF830、IRF840、STF5N95K3、STF5N95K5等。这些型号在某些参数上可能略有差异,但在大多数高压开关应用中可以实现功能兼容。

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STF2N95K5参数

  • 现有数量1,830现货
  • 价格1 : ¥13.28000管件
  • 系列SuperMESH5?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)950 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 欧姆 @ 1A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)105 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)20W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220FP
  • 封装/外壳TO-220-3 整包