STF28NM60ND 时间：2025/7/22 22:52:55 阅读：9

STF28NM60ND是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关应用。该器件采用了先进的技术，以提供更高的效率和可靠性，适用于诸如电源转换器、马达控制、电池管理系统以及各种工业和消费类电子设备。STF28NM60ND采用TO-220封装，具有良好的热管理和电气性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：28A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：600V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2~4V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220
　　输入电容（Ciss）：1200pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：35ns（典型值）

特性

STF28NM60ND具有多项优良的电气和物理特性，能够满足高要求的工业应用需求。首先，其漏极-源极电压（VDS）高达600V，使其能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换系统。其次，该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）仅为0.22Ω，确保了较低的导通损耗，提高了整体系统的效率。
　　此外，该器件的栅极阈值电压（VGS(th)）为2~4V，适用于常见的栅极驱动电路设计，易于与各种控制器配合使用。输入电容（Ciss）为1200pF，有助于降低开关损耗，从而提高开关频率和系统响应速度。
　　STF28NM60ND的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适合高功率密度的设计。其最大功耗为50W，能够在较高的工作环境下保持稳定运行。工作温度范围从-55°C到+150°C，适应性强，适用于各种恶劣环境条件。
　　该MOSFET还具备较快的反向恢复时间（trr）为35ns，使得其在高频开关应用中表现出色，减少开关损耗并提高系统的整体效率。这种特性特别适用于需要快速开关的DC-DC转换器、AC-DC电源、马达驱动和照明系统等应用。

应用

STF28NM60ND被广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其是在电源管理和功率转换领域。其高耐压能力和低导通电阻使其成为AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和UPS（不间断电源）系统中的理想选择。
　　在工业自动化和控制系统中，STF28NM60ND可用于马达驱动电路、变频器和伺服控制系统，提供高效、可靠的功率开关功能。由于其快速的开关特性，也适用于LED照明驱动、电子镇流器和节能灯具等应用。
　　此外，该MOSFET还常用于电池管理系统（BMS）、储能系统和光伏逆变器中，以实现高效的能量转换和管理。在消费类电子产品中，如液晶电视、音响设备和高端家电，STF28NM60ND也可用于电源模块和功率控制电路中。