STF25A60 时间：2025/7/23 11:20:24 阅读：10

STF25A60 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高电压功率MOSFET晶体管，主要用于高功率和高频率的开关应用。该器件采用先进的超级结（Super Junction）技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适用于电源转换器、开关电源（SMPS）、电机控制和工业自动化设备等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：25A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大值）
　　最大功耗（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247
　　栅极电荷（Qg）：54nC（典型值）
　　漏源击穿电压（BVDSS）：600V
　　阈值电压（Vgs(th)）：3V 至 5V
　　输入电容（Ciss）：1100pF（典型值）

特性

STF25A60 采用先进的超级结技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。其600V的漏极电压能力使其适用于高电压应用，例如开关电源和功率因数校正（PFC）电路。该MOSFET具备较低的开关损耗，适用于高频开关环境，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，能够在高电流和高功率环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V至15V驱动电路，便于设计和集成。STF25A60还具备较强的抗过载能力和热稳定性，确保在高负载条件下的可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，适合环保型电子产品设计。
　　在应用过程中，STF25A60 的设计允许其在高dv/dt环境下稳定运行，减少寄生效应带来的影响。同时，其较低的Qg（栅极电荷）参数有助于降低驱动电路的功耗，从而提高整体系统的能效。对于高功率转换器而言，该器件的低Rds(on)特性可显著减少传导损耗，提高系统效率，同时降低对散热器的要求，从而实现更紧凑的设计。由于其良好的热稳定性和抗过载能力，STF25A60 可广泛应用于工业级电源设备和高可靠性系统中。