时间：2025/7/11 22:38:05
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STF22NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，适用于高电压、大电流应用场合。它具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，能够在开关电源、电机驱动、逆变器等电路中提供高效稳定的性能。
STF22NM60N的主要特点是其耐压能力高达600V，同时具备快速开关特性和良好的热稳定性。这些特性使其成为许多工业及消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2.2A
导通电阻：5.5Ω
栅极电荷：19nC
开关时间：ton=38ns，toff=74ns
结温范围：-55℃至+175℃
STF22NM60N具有以下显著特点：
1. 高击穿电压（600V），适合高压环境的应用。
2. 较低的导通电阻（5.5Ω典型值），减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，能够适应高频工作条件。
4. 稳定的工作温度范围，即使在极端温度条件下也能保持可靠运行。
5. TO-220封装形式便于散热设计，并且易于安装于各种PCB布局中。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
STF22NM60N广泛应用于需要高效能功率转换和控制的场景中，例如：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率输出级。
3. 各种类型的逆变器，包括光伏逆变器和UPS不间断电源系统。
4. 负载切换和保护电路。
5. LED驱动器和其他高效率电子设备。
STP22NM60, IRF650, FQP22N60
