STF21NM60是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高电压、高电流应用场景设计,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、开关电源(SMPS)以及负载开关等多种应用。STF21NM60采用了先进的技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高耐用性,能够在600V电压下稳定工作,适用于要求高性能和高可靠性的电力电子系统。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):连续21A(@25°C)
导通电阻(Rds(on)):0.25Ω(最大值)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220、D2PAK等
功率耗散(Ptot):125W
STF21NM60的主要特性之一是其优异的导通性能,其最大导通电阻(Rds(on))仅为0.25Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。该MOSFET采用先进的平面工艺制造,具有良好的热稳定性和高耐用性,能够在高温环境下长时间工作。此外,其栅极驱动电压范围较宽(±30V),使得其适用于多种驱动电路设计。
另一个显著特点是其高耐压能力,漏源击穿电压达到600V,使其适用于高压电源转换和控制应用。STF21NM60还具备快速开关能力,有助于减少开关损耗,提高系统响应速度。在封装方面,该器件提供TO-220和D2PAK等多种封装形式,便于安装和散热管理,适合各种工业和消费类电子产品。
该器件还具备良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏,提高了系统在异常工况下的可靠性。此外,STF21NM60的封装设计考虑了良好的热传导性能,能够有效将热量传导至散热器,进一步提升其工作稳定性。
STF21NM60广泛应用于各类电力电子系统中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS(不间断电源)、电机驱动器、逆变器以及工业自动化设备中的负载开关控制。其高耐压和大电流能力也使其适用于LED照明驱动、智能电表和家用电器等领域的电源管理模块。在新能源领域,如太阳能逆变器和电动车充电系统中,STF21NM60也能发挥出色的性能。此外,由于其良好的热管理和高可靠性,该MOSFET也常用于需要长时间稳定运行的工业控制系统。
STF21NM60N、STF21NM60T4、STF21NM60D、IRF21N60A、FQA20N60C、FQP20N60C