类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：75 A（Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds_on）：2.2 mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：150 W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装：TO-220
　　晶体管配置：单N沟道

STF203-22TCT 采用了先进的沟槽栅技术，使其在低导通电阻和高电流承载能力之间实现了良好的平衡。其最大导通电阻仅为 2.2 mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件能够承受高达 75A 的连续漏极电流，适用于高功率需求的应用场景。此外，STF203-22TCT 具有良好的热稳定性和抗过载能力，可在高温环境下稳定运行。其 TO-220 封装形式不仅便于安装和散热，还能提供良好的机械强度。该 MOSFET 还具有快速开关特性，适合高频开关应用，如同步整流和 DC-DC 转换器。此外，其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的栅源电压，提高了设计灵活性。
　　STF203-22TCT 还具备高雪崩能量承受能力和良好的短路耐受性，能够在极端工况下保持稳定运行，从而提升系统的可靠性和安全性。该器件符合 RoHS 环保标准，适用于各种工业、汽车和消费类电子产品。

STF203-22TCT 广泛应用于各类高功率和高效率电子系统中，例如服务器电源、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电动工具、电动车控制器、工业自动化设备以及开关电源（SMPS）。此外，它也适用于需要高电流和低导通损耗的功率 MOSFET 应用，如同步整流器、电机驱动器和电源管理模块。

STF203-22TT、STF203-22T、IRF1404、SiS434DN、IPW65R025CFD7