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STF203-22TC 发布时间 时间:2025/8/5 2:39:43 查看 阅读:16

STF203-22TC是一种高性能、低噪声的射频功率场效应晶体管(RF MOSFET),广泛用于无线通信设备中的射频功率放大器。该器件由STMicroelectronics制造,采用先进的MOSFET技术,具有高效率和优异的线性性能,适用于多种高频应用场景。STF203-22TC在设计上优化了热稳定性和耐久性,使其能够在高功率工作条件下保持良好的性能。

参数

类型:射频MOSFET
  最大漏极电流:20A
  最大漏极-源极电压:65V
  最大栅极-源极电压:±20V
  输出功率:22W(典型值)
  频率范围:225MHz - 400MHz
  增益:12dB(典型值)
  效率:65%以上
  封装类型:TO-247

特性

STF203-22TC具有多个显著的性能特点。首先,其高输出功率能力使其适用于需要较高功率的射频放大器应用。该器件在225MHz至400MHz的频率范围内表现优异,确保了在多种通信频段中的稳定性与高效性。此外,STF203-22TC的高增益特性(典型值12dB)使得信号放大更加高效,减少了对额外放大级的需求,从而降低了整体系统的复杂性。该器件的高效率(65%以上)不仅减少了能量损耗,还降低了散热需求,提高了系统的可靠性。其TO-247封装设计提供了良好的散热性能,并增强了器件在高功率工作条件下的稳定性。此外,STF203-22TC具备较高的热稳定性,能够在恶劣的工作环境中保持长期的可靠性。这些特性使其成为无线通信、广播系统、测试设备和其他需要高效射频放大的应用的理想选择。

应用

STF203-22TC主要应用于需要高功率射频放大的设备,如陆地移动无线电(LMR)系统、军事通信设备、专业级无线电发射机、测试与测量仪器以及广播设备。由于其高效的射频放大能力和宽频率范围,它也适合用于工业和商业领域的各种射频功率放大应用。

替代型号

STF203-22T, STF203-22TCR, RD16HHF1, MRF151G

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