STF203-15.TCT 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的功率MOSFET器件。该器件采用先进的沟槽栅技术,提供较低的导通电阻和快速的开关特性,适用于高效率的功率转换应用。STF203-15.TCT的封装形式为TO-220,适用于工业控制、电源管理和电机驱动等场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):80A
导通电阻(Rds(on)):≤1.5mΩ(典型值)
栅极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:TO-220
STF203-15.TCT 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,其采用了先进的沟槽栅技术,显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗并提高了整体效率。该器件的导通电阻在典型工作条件下可低至1.5毫欧,这使其在高电流应用中表现出色。
此外,该MOSFET具有较高的电流承载能力,额定漏极电流可达80A,适合用于需要高功率密度和高效率的设计中。其±20V的栅极电压耐受能力提供了更好的栅极驱动灵活性,适用于多种驱动电路配置。
STF203-15.TCT的封装形式为TO-220,这种封装结构不仅提供了良好的散热性能,还具有较强的机械稳定性和易于安装的特点,适合在工业环境中使用。该器件的工作温度范围为-55°C至175°C,确保了其在各种极端温度条件下的稳定性和可靠性。
该MOSFET还具备快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高系统效率。这一特性使其特别适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路等。同时,其低导通电阻和高电流能力也使其成为高功率密度电源设计的理想选择。
STF203-15.TCT 广泛应用于多种高功率和高效率的电力电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其优异的导通和开关性能使其在需要高效率、高可靠性和高功率密度的场合中表现出色。
STF203-15.TCT的替代型号包括STF203-15L、STP80NF55-06、IRF1405、IRF3710