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STF201-30 发布时间 时间:2025/8/4 16:31:39 查看 阅读:6

STF201-30 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅技术,提供优异的导通性能和热稳定性。STF201-30 通常用于工业控制、电源管理、马达驱动和功率转换等应用,适合需要高效率和高可靠性的系统设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):200A
  导通电阻(Rds(on)):约1.75mΩ(典型值)
  功率耗散(Pd):250W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

STF201-30 MOSFET具有多项优异的电气和热性能,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体系统效率。其次,该器件能够承受高达200A的连续漏极电流,适用于高电流负载的应用场景。此外,STF201-30采用了先进的沟槽栅技术,提高了栅极控制的稳定性,并优化了开关性能,从而减少开关损耗。该器件的热阻较低,有助于快速散热,保证在高功率操作下的可靠性。
  STF201-30的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平,允许直接由微控制器或驱动IC控制,简化了电路设计。同时,其坚固的结构设计提供了良好的短路耐受能力,增强了在极端条件下的稳定性。由于采用了环保材料,STF201-30符合RoHS标准,适合各类环保要求较高的电子产品应用。

应用

STF201-30广泛应用于各种高功率电子系统中,包括电源转换器(如DC-DC转换器、AC-DC电源)、电机控制、电动工具、电动车驱动系统、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备以及高性能开关电源(SMPS)等。其高电流承载能力和低导通电阻也使其成为功率放大器、负载开关和高功率LED驱动电路的理想选择。此外,该器件在太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和储能系统等新能源领域中也得到了广泛应用。

替代型号

STF201-30 的替代型号包括 STF202N30L、STF202N30M、IRF1405、IRF1406、SiR140DP 和 FDP2014。这些器件在电气性能、封装形式和应用场景上与 STF201-30 相似,可作为替代选项用于设计和维修过程中。

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