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STF201-30.TCT 发布时间 时间:2025/8/5 7:56:07 查看 阅读:17

STF201-30.TCT 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率开关和电源管理应用。该器件采用了先进的沟道技术,提供了低导通电阻和高耐压能力,能够有效降低开关损耗并提高系统效率。STF201-30.TCT 封装在TO-220AB或类似的标准功率封装中,便于散热和安装,适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):300V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):20A
  功耗(Pd):50W
  导通电阻(Rds(on)):0.16Ω
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TO-220AB

特性

STF201-30.TCT 的核心特性之一是其优异的导通性能。该器件的导通电阻(Rds(on))典型值为0.16Ω,在高电流应用中能够显著减少导通损耗,从而提高整体系统效率。其漏源电压(Vds)达到300V,能够承受较高的电压应力,适用于高压开关电路。
  该MOSFET采用了先进的硅技术,确保在高频率开关应用中保持稳定的性能。此外,其栅极驱动电压范围为±20V,使得它可以与多种类型的驱动电路兼容,包括常见的微控制器和专用栅极驱动器。
  STF201-30.TCT 的封装设计(如TO-220AB)具有良好的热管理能力,能够在高功率条件下有效散热,延长器件的使用寿命。这种封装形式也便于安装在散热片上,以进一步提高散热效率。
  此MOSFET在过载和短路条件下具备较强的鲁棒性,能够承受一定的瞬态过载电流而不损坏。这使得它在电源管理、马达控制、DC-DC转换器等应用中表现出色。

应用

STF201-30.TCT 广泛应用于各种功率电子系统中。在电源管理领域,该器件常用于开关电源(SMPS)、AC-DC转换器和DC-DC转换器,用于高效地控制和转换电能。其高耐压能力和低导通电阻使其成为这些应用中的理想选择。
  在工业自动化和控制系统中,STF201-30.TCT 可用于马达驱动和负载开关电路。由于其能够承受较高的工作电流和电压,因此适用于驱动各种类型的直流马达、步进马达和电磁阀等负载。
  此外,该MOSFET还可用于逆变器和UPS(不间断电源)系统,帮助实现高效的能量转换和管理。在新能源领域,如太阳能逆变器和储能系统中,STF201-30.TCT 也常被用于功率开关控制。
  消费类电子产品中,如高功率LED照明驱动器、电源适配器和充电器等,也常常使用该器件来提高效率和可靠性。

替代型号

STF201-30.TCT 可以考虑使用以下替代型号:IRF840、STF20N30M、STF20N30K5、STF20N30DM2。这些型号在性能参数和封装形式上与STF201-30.TCT 相似,但在具体应用中需要根据设计需求进行验证和匹配。

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