STF201-22 时间：2025/8/5 9:26:17 阅读：27

STF201-22 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理应用设计。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和优异的热性能，适用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场景。STF201-22 采用 TO-220 封装，具备良好的散热能力，能够在高电流条件下稳定工作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：9A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大值）
　　功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

STF201-22 的主要特性包括其低导通电阻和高耐压能力，使其在高功率应用中表现出色。其导通电阻仅为 0.22Ω，有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力，可在高负载条件下长时间工作而不会出现过热问题。
　　STF201-22 的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了与微控制器或驱动电路的接口。其 TO-220 封装提供了良好的散热性能，适合用于需要高可靠性和稳定性的工业级应用。此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了系统的响应速度和能效。
　　在可靠性方面，STF201-22 具备出色的抗静电能力和过热保护特性，能够在恶劣环境下保持稳定运行。其广泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也使其适用于户外设备、汽车电子和工业自动化系统等复杂环境。

应用

STF201-22 主要应用于电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器以及负载开关控制。它还常用于电机驱动、LED 驱动器和工业自动化设备中的功率开关元件。由于其高耐压和大电流能力，STF201-22 也适用于需要高可靠性的汽车电子系统，如车身控制模块和车载充电系统。此外，在消费类电子产品中，该 MOSFET 可用于电源管理、风扇控制和继电器替代方案，以提高能效和延长电池寿命。