时间：2025/7/23 15:26:04
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STF18N60M2是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款MOSFET采用了先进的技术，提供了高性能和高可靠性，适用于各种高功率电子设备。STF18N60M2具有较高的导通能力和较低的导通电阻，使其在高频开关应用中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：18A
漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（最大值）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
STF18N60M2具有多项显著的特性，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下，器件的导通损耗较低，从而提高了整体效率。其次，该器件的高耐压能力（600V）使其适用于各种高电压应用场景。此外，STF18N60M2具备较高的热稳定性，能够在恶劣的温度条件下保持稳定运行。其快速开关特性也使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器。此外，该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和较高的可靠性，适合在严苛环境下使用。
STF18N60M2采用TO-220封装，便于散热和安装，适用于各种功率电子设备的设计。其高电流承载能力和优异的热性能使其成为工业电源、电动工具、家电和照明控制等应用的理想选择。
STF18N60M2广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、逆变器、LED驱动器、充电器以及工业自动化设备。此外，该器件还可用于家电、电动工具和照明控制等高功率应用场景。
STF20N60M2, STF15N60M2
