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STF16NK60Z 发布时间 时间:2025/7/22 13:36:12 查看 阅读:10

STF16NK60Z是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高功率应用,具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力。其最大漏极-源极电压(VDS)为600V,最大漏极电流(ID)为16A,适用于需要高效、高可靠性的电源转换系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极-源极电压(VDS):600V
  最大漏极电流(ID):16A
  最大栅极-源极电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.28Ω
  封装形式:TO-220
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

STF16NK60Z具有多项优良特性,包括低导通电阻(RDS(on)),有助于减少导通损耗,提高系统效率;其高耐压能力(600V)使其适用于多种高压应用;此外,该器件具有良好的热稳定性和高可靠性,能够在高温环境下稳定工作。同时,其TO-220封装形式便于安装和散热管理,适合高功率密度的设计需求。
  该MOSFET还具备快速开关特性,降低了开关损耗,从而提升了整体系统的能效。其栅极驱动特性也较为理想,适合使用常见的栅极驱动电路进行控制。

应用

STF16NK60Z广泛应用于各种功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制、照明驱动电路、工业自动化设备以及家用电器中的电源管理模块。在这些应用中,它能够有效地控制和传输高电压和高电流,确保系统的稳定性和效率。此外,由于其高可靠性和热稳定性,它也适用于要求较高的工业和消费类电子产品。

替代型号

STF16NK60Z的替代型号包括STF16NM60ND、STF16NM60N、STF14NK60Z、STF14NM60ND等。

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STF16NK60Z参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压620 V
  • 闸/源击穿电压30 V
  • 漏极连续电流14 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.38 Ohms
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220FP
  • 封装Tube
  • 下降时间15 ns
  • 栅极电荷 Qg86 nC
  • 功率耗散40 W
  • 上升时间25 ns
  • 典型关闭延迟时间70 ns