时间：2025/7/22 13:36:12
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STF16NK60Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高功率应用，具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力。其最大漏极-源极电压（VDS）为600V，最大漏极电流（ID）为16A，适用于需要高效、高可靠性的电源转换系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极-源极电压（VDS）：600V
最大漏极电流（ID）：16A
最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.28Ω
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
STF16NK60Z具有多项优良特性，包括低导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率；其高耐压能力（600V）使其适用于多种高压应用；此外，该器件具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下稳定工作。同时，其TO-220封装形式便于安装和散热管理，适合高功率密度的设计需求。
该MOSFET还具备快速开关特性，降低了开关损耗，从而提升了整体系统的能效。其栅极驱动特性也较为理想，适合使用常见的栅极驱动电路进行控制。
STF16NK60Z广泛应用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、照明驱动电路、工业自动化设备以及家用电器中的电源管理模块。在这些应用中，它能够有效地控制和传输高电压和高电流，确保系统的稳定性和效率。此外，由于其高可靠性和热稳定性，它也适用于要求较高的工业和消费类电子产品。
STF16NK60Z的替代型号包括STF16NM60ND、STF16NM60N、STF14NK60Z、STF14NM60ND等。
