时间：2025/5/10 13:25:35
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STF16N65M2 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装，广泛应用于高电压、大电流的开关应用中，如电机驱动、电源转换和逆变器等。它具有低导通电阻和高雪崩击穿能力的特点，能够有效提升系统效率并增强可靠性。
STF16N65M2 的设计旨在满足工业和汽车领域对高效能功率管理的需求。其耐压值高达 650V，能够承受较大的电压波动，并且具备快速开关速度以降低开关损耗。
最大漏源极电压：650V
连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：0.36Ω
栅极电荷：49nC
总功耗：180W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
STF16N65M2 具有以下显著特性：
1. 高电压处理能力，使其适合高压环境下的应用。
2. 较低的导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关性能，可有效降低开关损耗。
4. 高雪崩击穿能力，增强了器件在异常情况下的保护功能。
5. 耐热性能优越，能在较宽的温度范围内稳定工作。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这些特点使 STF16N65M2 成为高性能功率转换和控制的理想选择。
STF16N65M2 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动与控制。
3. 太阳能逆变器和 UPS 系统。
4. 电动车辆及混合动力汽车的电力管理系统。
5. 高效照明系统，例如 LED 驱动器。
6. 各类工业自动化设备中的功率调节模块。
这款 MOSFET 的高电压和大电流特性使其成为多种高要求应用场景的理想解决方案。
IRFP460,
FDP18N65C,
IXYS IXFN65P18R
