STF13NM60N:
　　类型: N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）: 600V
　　最大漏极电流（Id）: 13A
　　导通电阻（Rds(on))：0.45Ω
　　封装类型: TO-220
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C
　　2SK4086:
　　类型: N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）: 500V
　　最大漏极电流（Id）: 8A
　　导通电阻（Rds(on))：0.75Ω
　　封装类型: TO-220
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C

STF13NM60N是一款高性能的N沟道MOSFET，设计用于高压和高功率应用场景。其最大漏极电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于开关电源、电机驱动和逆变器等设备。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on))为0.45Ω，从而降低了导通损耗，提高了效率。此外，它采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作。这款MOSFET还具有高雪崩能量耐受能力，确保在极端条件下也能可靠运行。
　　2SK4086则是一款由东芝制造的N沟道功率MOSFET，适用于高频电源转换和放大器电路。该器件的最大漏极电压为500V，最大漏极电流为8A，导通电阻为0.75Ω。其TO-220封装形式不仅便于安装，还能有效散热，适用于各种中高功率应用。2SK4086具有快速开关特性和低栅极电荷，有助于减少开关损耗并提高系统效率。此外，它的工作温度范围同样为-55°C至+150°C，确保在恶劣环境下也能保持稳定性能。

STF13NM60N主要用于高压功率转换设备，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。由于其高耐压和低导通电阻特性，特别适合需要高效能和高可靠性的应用场景。
　　2SK4086则广泛应用于高频电源转换器、音频功率放大器、照明设备以及各种需要快速开关和低损耗的中高功率电子系统。它的高频特性使其在开关电源和RF功率放大器中表现出色。

STF13NM60N可替代型号包括STP12NM60N、IRFBC40、STF15NM60ND等。
　　2SK4086可替代型号包括2SK2640、2SK2093、2SK1530等。