时间：2025/6/25 16:39:58
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STF11N65M2是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高效率和低损耗的功率转换应用。STF11N65M2具有650V的击穿电压，能够承受较高的反向电压，同时具备较低的导通电阻，确保在大电流工作条件下的高效表现。
该器件还采用了先进的制造工艺，优化了开关特性和热性能，从而使其非常适合要求苛刻的工业和消费类电子应用。
漏源击穿电压：650V
连续漏极电流：11A
导通电阻：3.8Ω
栅极电荷：28nC
输入电容：1980pF
开关时间：ton=68ns，toff=45ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
STF11N65M2具有以下主要特性：
1. 高击穿电压（650V），适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（3.8Ω），有助于减少传导损耗。
3. 较低的栅极电荷（28nC），有助于提高开关速度并降低驱动损耗。
4. 快速开关特性，支持高频操作。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 采用TO-247标准封装，便于散热和安装。
STF11N65M2广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
3. 工业逆变器和电机控制器。
4. 充电器、适配器等便携式设备电源解决方案。
5. UPS不间断电源系统。
6. LED驱动器和照明控制电路。
STF15N65M2, IRFP460, FDP15N65S
