时间：2025/6/17 10:16:19
阅读：20
STF10N65K3是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他功率转换电路中。
STF10N65K3采用了TO-247封装形式，适合大功率应用场合。其优化的电气性能使其在高频工作条件下仍然能够保持较低的功耗。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：10A
导通电阻：3.8Ω（典型值，在VGS=10V时）
栅极电荷：45nC（最大值，在VDS=600V, ID=5A时）
总电容：180pF（典型值，在VDS=600V时）
工作温度范围：-55℃至175℃
STF10N65K3具备以下关键特性：
1. 高耐压能力，额定电压高达650V，适用于高压环境。
2. 极低的导通电阻，确保在高电流应用中降低功耗。
3. 快速开关性能，支持高频工作场景。
4. 高可靠性设计，能够在恶劣的工作环境下长期稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
6. 具备优秀的热性能，能够有效散热以维持设备稳定运行。
这些特点使STF10N65K3成为许多工业和消费电子应用的理想选择。
STF10N65K3适用于多种功率电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和充电器。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或其他类型的电动机。
3. 逆变器模块，用于太阳能发电系统或不间断电源（UPS）。
4. 各类工业自动化设备中的功率转换电路。
5. LED照明系统的驱动电路。
6. 电动汽车和混合动力汽车中的辅助电源管理单元。
由于其出色的电气特性和可靠性，STF10N65K3在上述领域表现出色。
STF15N65K3, IRFP460, FDP18N65C
