时间：2025/7/23 10:17:42
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STF100N10F7 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，属于STPOWER系列。该器件专为高效率功率转换应用而设计，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化等场景。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：240nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
STF100N10F7 采用先进的PowerFLAT封装技术，提供优异的散热性能和高功率密度。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET具备高耐压能力，可承受高电压应力，适用于高压功率转换器。器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率，从而缩小外部电感和电容的尺寸。此外，其宽泛的工作温度范围使其在极端环境下仍能保持稳定运行。
该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，增强了系统的可靠性。STF100N10F7 的封装设计优化了PCB布局，减少了寄生电感，提高了整体的电气性能。其符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。
STF100N10F7 主要用于高效能电源系统，如服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、功率因数校正（PFC）电路、太阳能逆变器和工业自动化设备。此外，该器件也可用于汽车电子系统，如电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）的充电管理模块。
在服务器和数据中心电源系统中，STF100N10F7 能够有效提升能源效率，降低能耗。在DC-DC转换器中，其低RDS(on)和高开关速度可提高转换效率并减小系统体积。在电机控制应用中，该MOSFET能够提供高电流能力，支持高效电机驱动。
STF100N10F7K、STF100N10F7-DS、IPW90R120P7、SiHF100N10E
