时间：2025/7/22 13:35:12
阅读：7
STE38N50是一种N沟道增强型功率MOSFET，由STMicroelectronics制造。该器件设计用于高功率和高频率应用，具有低导通电阻和高电流处理能力。STE38N50广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、马达控制和电池充电系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：38A
导通电阻(Rds(on))：0.065Ω
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
STE38N50的低导通电阻使其在导通状态下损耗最小，从而提高系统效率。该MOSFET采用了先进的平面技术，提供了卓越的雪崩能量耐受能力，从而增强了器件的可靠性和耐用性。
此外，STE38N50的快速开关特性使其适用于高频开关应用，例如开关电源（SMPS）和逆变器。其高电流容量和热稳定性确保了在严苛工作条件下的稳定运行。
该器件还具备出色的抗短路能力，可以在瞬态过载情况下提供一定的保护。STE38N50的设计符合工业标准，适合在各种高功率电子系统中使用。
STE38N50常用于各种高功率电子设备中，包括开关电源、DC-DC转换器、UPS系统、电机驱动器以及电池管理系统。它也适用于工业自动化设备、太阳能逆变器和电动车充电系统等应用。
IRF3808, FDP38N50U, STW38N50
