STE36N50-DA 时间：2025/7/31 17:50:44 阅读：10

STE36N50-DA 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率和高频率的开关应用。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻、高电流容量和优异的热稳定性，适用于电源转换器、电机驱动、DC-DC转换器等工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：36A
　　最大漏-源电压（VDS）：500V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：500V
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装类型：TO-247

特性

STE36N50-DA 的核心优势在于其低导通电阻和高电流处理能力，这使得它在高功率应用中具有较低的导通损耗，从而提高系统效率。此外，该MOSFET具有良好的热性能和耐久性，能够在高温环境下稳定工作。
　　该器件的TO-247封装不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上安装和焊接，适用于各种高功率电路设计。STE36N50-DA 还具备快速开关特性，使其适用于高频开关电源和电机控制应用。
　　从电气性能来看，STE36N50-DA 的漏极-源极击穿电压为500V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的DC-AC逆变器、开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）等应用。其栅极阈值电压范围为2V至4V，兼容标准的MOSFET驱动电路，便于集成到现有的功率电子系统中。
　　此外，STE36N50-DA 具备较高的短路耐受能力，可在异常工作条件下提供一定的保护功能，提升系统的可靠性。

应用

STE36N50-DA 广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、交流-直流整流器、电机控制驱动器、不间断电源（UPS）、光伏逆变器和工业自动化控制系统等。由于其高耐压、大电流能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效能和高可靠性的中高功率场合。
　　在开关电源设计中，STE36N50-DA 可作为主功率开关使用，能够有效降低导通损耗并提高整体效率。在电机驱动和变频器系统中，它可用于高频PWM控制，实现对电机速度和转矩的精确调节。
　　此外，STE36N50-DA 还可用于LED照明驱动、电池管理系统（BMS）以及各种工业控制设备中的功率开关电路。其良好的热稳定性和过载能力使其在恶劣环境下也能保持稳定运行。