STE180N10 时间：2025/7/23 3:47:54 阅读：8

STE180N10 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率和高频应用设计。该器件采用先进的MESH OVERLAY?技术，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。STE180N10 通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及汽车电子系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：180A
　　导通电阻(Rds(on))：最大5.2mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247
　　引脚数：3

特性

STE180N10 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在高电流应用中具有极低的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。
　　此外，该MOSFET具备高耐压能力，能够在100V的漏源电压下稳定工作，适合用于高功率密度设计。
　　STE180N10 采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适合在高温环境下运行。
　　其栅极设计支持±20V的栅源电压，提供了更高的驱动灵活性，并减少了因栅极电压波动而引起的误触发风险。
　　该器件还具备良好的雪崩耐受能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定工作，增强了系统的可靠性。
　　STE180N10 的热阻较低，确保在高负载条件下仍能维持较低的工作温度，延长了器件的使用寿命。

应用

STE180N10 常用于各类高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业自动化设备以及汽车电子控制系统。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和DC-AC逆变器等应用。
　　在工业领域，STE180N10 被广泛应用于高效率电源模块、伺服电机控制和不间断电源（UPS）系统中。
　　此外，由于其优异的导通特性和高可靠性，STE180N10 也适合用于高频开关应用，如无线充电和功率因数校正（PFC）电路。