时间：2025/5/28 10:24:06
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STDV3055L104T4G是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高效能TVS（瞬态电压抑制器）二极管阵列。它专为保护高速数据线、信号线和电源线免受静电放电（ESD）、雷击和其他瞬态电压脉冲的损害而设计。该器件采用DFN4封装形式，具有超低电容特性，使其非常适合于高速接口的应用场景。
STDV3055L104T4G能够提供出色的钳位性能，在不影响系统信号完整性的前提下确保电路的安全性和可靠性。其广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
工作电压：±5.5V
峰值脉冲电流：±30A
箝位电压：8.7V
结电容：0.6pF
响应时间：1ps
封装形式：DFN4
工作温度范围：-55℃至+150℃
STDV3055L104T4G具有以下主要特性：
1. 超低结电容（仅为0.6pF），适合高速数据线路保护。
2. 高度可靠的ESD防护能力，符合IEC 61000-4-2国际标准，可承受接触放电±30kV和空气放电±30kV。
3. 小型化DFN4封装，节省PCB空间，易于布局和安装。
4. 极快的响应速度（1ps），可以迅速抑制瞬态电压，保护后端敏感电路。
5. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件下的应用需求。
6. 符合RoHS环保标准，无铅设计，满足绿色产品要求。
STDV3055L104T4G适用于以下应用场景：
1. USB 3.0/3.1等高速数据接口的ESD保护。
2. HDMI、DisplayPort以及其他高带宽视频传输接口的防护。
3. 移动通信设备如智能手机、平板电脑中的射频线路保护。
4. 工业自动化控制系统中信号传输链路的瞬态电压抑制。
5. 汽车电子系统内的数据总线防护，例如CAN总线或LIN总线。
6. 任何需要对高速信号进行精准保护同时保持低插入损耗的设计方案。
STM6V5M-E, PESD8V0R1BAB
