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STDV3055L104T4G 发布时间 时间:2025/5/28 10:24:06 查看 阅读:11

STDV3055L104T4G是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高效能TVS(瞬态电压抑制器)二极管阵列。它专为保护高速数据线、信号线和电源线免受静电放电(ESD)、雷击和其他瞬态电压脉冲的损害而设计。该器件采用DFN4封装形式,具有超低电容特性,使其非常适合于高速接口的应用场景。
  STDV3055L104T4G能够提供出色的钳位性能,在不影响系统信号完整性的前提下确保电路的安全性和可靠性。其广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。

参数

工作电压:±5.5V
  峰值脉冲电流:±30A
  箝位电压:8.7V
  结电容:0.6pF
  响应时间:1ps
  封装形式:DFN4
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

STDV3055L104T4G具有以下主要特性:
  1. 超低结电容(仅为0.6pF),适合高速数据线路保护。
  2. 高度可靠的ESD防护能力,符合IEC 61000-4-2国际标准,可承受接触放电±30kV和空气放电±30kV。
  3. 小型化DFN4封装,节省PCB空间,易于布局和安装。
  4. 极快的响应速度(1ps),可以迅速抑制瞬态电压,保护后端敏感电路。
  5. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境条件下的应用需求。
  6. 符合RoHS环保标准,无铅设计,满足绿色产品要求。

应用

STDV3055L104T4G适用于以下应用场景:
  1. USB 3.0/3.1等高速数据接口的ESD保护。
  2. HDMI、DisplayPort以及其他高带宽视频传输接口的防护。
  3. 移动通信设备如智能手机、平板电脑中的射频线路保护。
  4. 工业自动化控制系统中信号传输链路的瞬态电压抑制。
  5. 汽车电子系统内的数据总线防护,例如CAN总线或LIN总线。
  6. 任何需要对高速信号进行精准保护同时保持低插入损耗的设计方案。

替代型号

STM6V5M-E, PESD8V0R1BAB

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STDV3055L104T4G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)104 毫欧 @ 6A,5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)440 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.5W(Ta),48W(Tj)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63