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STDS75M2F 发布时间 时间:2025/7/22 5:19:16 查看 阅读:5

STDS75M2F 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的双路N沟道增强型功率MOSFET芯片,采用先进的StripFET?技术,具备低导通电阻和高电流处理能力。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):5.5A
  漏极-源极电压(VDS):30V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):45mΩ @ VGS=10V
  功率耗散:2.5W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:SO-8

特性

STDS75M2F 的核心特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),仅为45毫欧,这显著降低了功率损耗,提高了系统效率。该MOSFET采用高性能的StripFET?技术,优化了芯片结构,使得在高电流负载下仍能保持稳定的性能。
  此外,STDS75M2F具有较高的热稳定性和耐久性,能够在恶劣的工作环境下长时间运行而不影响性能。其栅极驱动电压范围宽,支持从4.5V到20V的VGS电压操作,适用于多种驱动电路设计。
  该器件的双路N沟道结构允许两个MOSFET独立使用,也可并联使用以增强电流承载能力,从而提升系统的灵活性和可扩展性。这种设计特别适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
  在保护方面,STDS75M2F具备过温保护和过流保护功能,确保在异常工作条件下器件不会损坏。其快速开关特性也使得它在高频开关应用中表现出色,适用于DC-DC转换器、同步整流器等场景。

应用

STDS75M2F 主要用于各种电源管理和功率控制应用。例如,在DC-DC转换器中,该MOSFET可作为主开关器件,实现高效的电压转换;在同步整流器中,可用于提高整流效率并降低功耗;在负载开关电路中,用于控制电源路径,实现快速的开关操作。
  此外,STDS75M2F 还适用于电池管理系统(BMS),用于保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。在电机驱动和H桥电路中,该器件可用于实现双向电流控制,提高电机运行的稳定性和效率。
  由于其高可靠性和紧凑的SO-8封装,STDS75M2F也广泛用于便携式电子产品、工业控制系统、汽车电子模块等对空间和性能都有较高要求的应用领域。

替代型号

STN3NF06L, FDS6675, Si4406DY

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STDS75M2F参数

  • 标准包装1
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 热管理
  • 系列-
  • 功能温度监视系统(传感器),监视器
  • 传感器类型内部
  • 感应温度-55°C ~ 125°C
  • 精确度±3°C(最小值)
  • 拓扑ADC(三角积分型),比较器,寄存器库
  • 输出类型I²C?/SMBus?
  • 输出警报
  • 输出风扇
  • 电源电压2.7 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装Digi-Reel®
  • 配用497-8846-ND - EVAL DAUGHTER STDS75 8-SOIC497-6238-ND - BOARD STLM75/STDS75/ST72F651
  • 其它名称497-6177-6