STD95N4F3是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻和高电流承载能力的特点,广泛应用于各种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用中。
这款MOSFET的设计旨在提供高效的开关性能,同时具备出色的热特性和耐用性。通过其优化的硅片工艺和封装技术,STD95N4F3能够在高压和大电流条件下保持稳定的运行状态。
最大漏源电压:400V
最大连续漏极电流:9.5A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(在Vgs=10V时):1.6Ω
功耗:25W
工作温度范围:-55℃至+150℃
STD95N4F3采用了先进的功率MOSFET制造工艺,具备以下特点:
1. 高击穿电压:能够承受高达400V的漏源电压,适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻:在Vgs=10V时,导通电阻仅为1.6Ω,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关能力:具备较低的输入电容和输出电荷,从而实现快速的开关速度。
4. 稳定性与可靠性:经过严格的测试流程,确保在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
5. TO-220封装:提供良好的散热性能,便于集成到各类功率电子设计中。
STD95N4F3适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流器使用,提升电源转换效率。
2. 电机驱动:用于控制直流无刷电机或其他类型的电动机,支持高效调速和启动功能。
3. 负载切换:实现对负载电路的快速接通与断开操作,保护下游设备免受过流或短路影响。
4. 工业自动化:在工业控制系统中充当功率开关或信号隔离元件。
5. 汽车电子:符合汽车级标准的版本可用于车载充电器、DC-DC转换器等应用中。
STD97N4F3
IRF840
FQP17N40