时间：2025/6/3 15:02:16
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STD95N4F3是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高电流承载能力的特点，广泛应用于各种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用中。
这款MOSFET的设计旨在提供高效的开关性能，同时具备出色的热特性和耐用性。通过其优化的硅片工艺和封装技术，STD95N4F3能够在高压和大电流条件下保持稳定的运行状态。
最大漏源电压：400V
最大连续漏极电流：9.5A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（在Vgs=10V时）：1.6Ω
功耗：25W
工作温度范围：-55℃至+150℃
STD95N4F3采用了先进的功率MOSFET制造工艺，具备以下特点：
1. 高击穿电压：能够承受高达400V的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻：在Vgs=10V时，导通电阻仅为1.6Ω，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关能力：具备较低的输入电容和输出电荷，从而实现快速的开关速度。
4. 稳定性与可靠性：经过严格的测试流程，确保在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
5. TO-220封装：提供良好的散热性能，便于集成到各类功率电子设计中。
STD95N4F3适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流器使用，提升电源转换效率。
2. 电机驱动：用于控制直流无刷电机或其他类型的电动机，支持高效调速和启动功能。
3. 负载切换：实现对负载电路的快速接通与断开操作，保护下游设备免受过流或短路影响。
4. 工业自动化：在工业控制系统中充当功率开关或信号隔离元件。
5. 汽车电子：符合汽车级标准的版本可用于车载充电器、DC-DC转换器等应用中。
STD97N4F3
IRF840
FQP17N40
