型号：STD888G
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60 V
　　最大连续漏极电流（ID）：140 A（TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：560 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：3.2 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：4.3 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　栅极电荷（Qg）典型值：135 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）典型值：10500 pF
　　输出电容（Coss）典型值：940 pF
　　反向恢复时间（trr）典型值：44 ns
　　最大功耗（PD）：300 W（TC=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C ~ +175 °C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

STD888G采用ST的StripFET? F7先进制程技术，显著降低了单位面积的导通电阻，从而在60V电压等级下实现了极低的RDS(on)值。在VGS=10V时，其最大导通电阻仅为3.2mΩ，而在VGS=4.5V的低压驱动条件下仍可保持4.3mΩ的低阻值，这使其非常适合用于同步整流、大电流DC-DC变换器以及电池管理系统等对导通损耗极为敏感的应用。低RDS(on)不仅减少了I2R损耗，还降低了温升，有助于提高系统的功率密度和长期可靠性。
　　该器件具备优异的开关特性，其栅极电荷Qg典型值为135nC，结合较低的输出电容Coss（940pF），可在高频开关应用中有效降低开关损耗。这对于提高电源转换效率至关重要，尤其是在轻载或高频率操作条件下。同时，其反向恢复时间trr仅为44ns，表明体二极管具有快速恢复能力，有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升整体系统效率。
　　热性能方面，STD888G采用DPAK封装，具有良好的散热能力，最大功耗可达300W（在TC=25°C条件下）。其宽广的工作结温范围（-55°C至+175°C）确保了在极端环境温度下的稳定运行，适用于工业控制、汽车电子等严苛应用场景。此外，器件具备高雪崩耐量，能够承受一定的瞬态过压冲击，增强了系统的鲁棒性和耐用性。
　　从可靠性角度看，STD888G通过了严格的生产测试和质量控制流程，符合AEC-Q101汽车级认证标准，表明其在温度循环、湿度、机械应力等方面具备高可靠性，适合部署在关键任务系统中。其±20V的栅源电压耐受能力也提高了对栅极驱动电路异常的容忍度，防止因过压导致的器件损坏。综合来看，STD888G在导通性能、开关速度、热管理与可靠性之间实现了良好平衡，是高性能功率MOSFET的理想选择之一。

STD888G广泛应用于各类高效率、大电流的电源转换系统中。在DC-DC降压变换器中，它常被用作主开关管或同步整流管，尤其适用于服务器电源、通信设备电源模块以及笔记本电脑适配器等需要高功率密度的设计。其低导通电阻和快速开关特性使得电源转换效率显著提升，满足现代电子产品对节能和小型化的双重需求。
　　在开关模式电源（SMPS）中，STD888G可用于PFC（功率因数校正）电路或主功率级拓扑结构中，承担能量传递和电压调节功能。由于其具备高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在长时间满负荷运行下保持稳定性能，适用于工业电源、UPS不间断电源系统等场景。
　　在电机驱动领域，该器件可用于直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路中，作为功率开关元件控制电机的启停与转向。其快速响应能力和低损耗特性有助于实现精确的速度控制和高效的能量利用。
　　此外，STD888G还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关、热插拔电路保护以及负载开关等场合。在这些应用中，器件的低RDS(on)可以减少电池内阻带来的压降，延长续航时间；而其高抗雪崩能力和过温耐受性则提升了系统的安全裕度。由于其符合汽车电子标准，因此也可应用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器模块等新能源汽车相关系统中。

STL888G
　　IPD95R035C3
　　IRF1404Z
　　NTD8888N