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STD80N10F7 发布时间 时间:2025/7/22 15:04:49 查看 阅读:5

STD80N10F7 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的技术制造,具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热性能,适用于高效率、高功率密度的电源转换应用。其设计旨在满足工业、汽车和消费类电子设备中对功率管理器件日益增长的需求。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流(ID):80A
  最大漏源电压(VDS):100V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):典型值 4.5mΩ(在VGS=10V时)
  功率耗散:典型值 200W(在TC=25℃时)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

STD80N10F7 的核心优势在于其极低的导通电阻(RDS(on)),可显著降低导通损耗,提高整体系统效率。该器件采用了先进的封装技术,具备良好的热管理和散热性能,确保在高功率应用中的稳定运行。
  此外,该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力,能够承受瞬时过电压和过电流的冲击,从而提高系统的可靠性和耐用性。其栅极驱动特性优化,适用于高频开关应用,降低开关损耗,提高动态响应能力。
  该器件还具有良好的短路耐受能力,可在异常工作条件下提供额外的保护,防止器件损坏。适用于多种电源管理拓扑,如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制、负载开关等。

应用

STD80N10F7 主要应用于需要高效率、高功率密度的电力电子系统中。常见应用包括服务器电源、电信电源、工业自动化与控制系统、电动工具、电动车充电器、DC-DC转换器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电机驱动与控制、电池管理系统等。
  由于其优异的电气特性和热性能,该器件也广泛用于汽车电子系统,如车载充电器、起停系统、电动助力转向系统等,满足汽车行业对可靠性和性能的高要求。

替代型号

STP80N10F7-06, FDP80N10FX, IPP80N10S4-03

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STD80N10F7参数

  • 现有数量3,039现货
  • 价格1 : ¥17.17000剪切带(CT)2,500 : ¥7.87250卷带(TR)
  • 系列DeepGATE?, STripFET? VII
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)70A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 毫欧 @ 40A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)45 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3100 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)85W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63