时间：2025/7/22 15:04:49
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STD80N10F7 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的技术制造，具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换应用。其设计旨在满足工业、汽车和消费类电子设备中对功率管理器件日益增长的需求。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：80A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值 4.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散：典型值 200W（在TC=25℃时）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
STD80N10F7 的核心优势在于其极低的导通电阻（RDS(on)），可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件采用了先进的封装技术，具备良好的热管理和散热性能，确保在高功率应用中的稳定运行。
此外，该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，能够承受瞬时过电压和过电流的冲击，从而提高系统的可靠性和耐用性。其栅极驱动特性优化，适用于高频开关应用，降低开关损耗，提高动态响应能力。
该器件还具有良好的短路耐受能力，可在异常工作条件下提供额外的保护，防止器件损坏。适用于多种电源管理拓扑，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制、负载开关等。
STD80N10F7 主要应用于需要高效率、高功率密度的电力电子系统中。常见应用包括服务器电源、电信电源、工业自动化与控制系统、电动工具、电动车充电器、DC-DC转换器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电机驱动与控制、电池管理系统等。
由于其优异的电气特性和热性能，该器件也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统、电动助力转向系统等，满足汽车行业对可靠性和性能的高要求。
STP80N10F7-06, FDP80N10FX, IPP80N10S4-03
