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STD7NM80-1 发布时间 时间:2025/7/22 8:03:04 查看 阅读:11

STD7NM80-1是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高压功率MOSFET,专为高效率、高耐压应用而设计。该器件采用先进的StripFET?技术,提供卓越的导通电阻和开关性能,适用于各种工业和消费类电子设备。

参数

类型:功率MOSFET
  工艺技术:StripFET?
  最大漏极-源极电压(VDS):800V
  最大连续漏极电流(ID):7A
  导通电阻(RDS(on)):1.2Ω(典型值)
  最大功率耗散(PD):50W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220AB

特性

STD7NM80-1具备出色的导通和开关性能,适用于多种高电压应用场景。其采用的StripFET?技术确保了器件在高电压下仍能保持较低的导通损耗,提高整体系统效率。此外,该MOSFET具有高耐用性和热稳定性,使其在恶劣环境下也能可靠运行。该器件的封装形式为TO-220AB,便于安装和散热,适用于高功率密度设计。其低栅极电荷(Qg)特性有助于降低高频开关应用中的驱动损耗,从而进一步提升系统效率。同时,该器件具有较强的抗雪崩能力,可在高应力环境下保持稳定工作。
  该MOSFET的封装设计使其具备良好的热管理和机械稳定性,适合长时间运行的高可靠性应用。其内部结构优化了电场分布,降低了短路和击穿的风险,提高了整体的系统安全性。此外,该器件的封装材料符合RoHS标准,确保环保和可持续性。

应用

STD7NM80-1广泛应用于各类高电压和高功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、LED照明驱动器、工业电机控制、家电变频器、电池管理系统以及高电压DC-DC转换器等。其优异的性能使其成为各种高效率、高稳定性需求场合的理想选择。

替代型号

STF7NM80T, STP7NM80T, STD7NM80

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STD7NM80-1参数

  • 其它有关文件STD7NM80-1 View All Specifications
  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.05 欧姆 @ 3.25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds620pF @ 25V
  • 功率 - 最大90W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称497-12787-5STD7NM80-1-ND