时间：2025/7/23 16:26:12
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STD7N80K5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高电压、高效率的功率转换应用。该器件采用先进的StripFET?技术，提供较低的导通电阻和优良的开关性能。其典型应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及各种高电压功率管理电路。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：7A
最大漏源电压（VDS）：800V
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω @ VGS = 10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
最大栅极电压：±20V
功耗（Ptot）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、D2PAK等
STD7N80K5 采用了ST先进的StripFET?技术，显著降低了导通电阻，提高了效率。其1.2Ω的RDS(on)在800V耐压等级中表现出色，使得在高压环境下仍能保持较低的导通损耗。该MOSFET具备优异的热稳定性和抗雪崩能力，确保在极端工作条件下的可靠性。
此外，该器件的栅极驱动特性优化，使得开关损耗降低，适用于高频开关应用。其栅极阈值电压范围适中（2.0V ~ 4.0V），兼容常见的驱动电路设计，如PWM控制器和光耦隔离驱动。STD7N80K5还具备良好的短路耐受能力，提升了系统的整体稳定性。
STD7N80K5 主要应用于高压功率转换领域，如开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、LED驱动器、DC-DC转换器、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也常用于家电产品中的电源管理电路，如变频空调、洗衣机和微波炉等。
STF7N80K5, STP7N80K5, FQA7N80C, 2SK2148
