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STD70NH02LT4 发布时间 时间:2025/7/22 5:22:38 查看 阅读:6

STD70NH02LT4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率开关应用设计,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和良好的热稳定性。这款MOSFET采用紧凑的PowerFLAT 5x6封装,适合用于空间受限的设计。由于其优异的性能指标,该器件广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电器等场合。

参数

类型:N沟道
  最大漏源电压(Vds):20V
  最大栅源电压(Vgs):±10V
  最大连续漏极电流(Id):70A
  导通电阻(Rds(on)):最大2.1mΩ @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:PowerFLAT 5x6

特性

STD70NH02LT4具有低导通电阻,使得在高电流工作条件下能够保持较低的导通损耗,从而提高整体系统的效率。
  其高耐流能力允许在大电流负载下稳定工作,适用于如高功率密度电源和电机驱动等应用。
  该MOSFET采用了先进的沟槽栅技术,提供了卓越的开关性能,降低了开关损耗并提高了响应速度。
  PowerFLAT封装具有优异的热管理能力,能够在较高的环境温度下稳定运行,同时由于封装尺寸较小,非常适合用于高密度PCB布局。
  此外,该器件具有较高的雪崩能量耐受能力,增强了在突发负载或电感负载切换时的可靠性。
  器件的栅极设计优化,使其在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗和电磁干扰(EMI)。
  整体来看,STD70NH02LT4是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,适用于多种现代电力电子系统。

应用

该器件广泛应用于各类电力电子设备中,如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、UPS不间断电源、工业自动化控制系统以及汽车电子中的功率控制模块。
  由于其出色的导通性能和封装尺寸的紧凑性,特别适合用于高频率、高效率的开关电源设计。
  在新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车的充电系统中,该MOSFET也常用于功率开关和负载管理。
  此外,其在电源管理IC(PMIC)配合下的高效能表现,使其成为便携式设备和嵌入式系统中电源管理部分的理想选择。
  在工业控制方面,它也被用于电机控制、伺服驱动器以及各类自动化设备中的功率切换电路。

替代型号

STL70NH02LT4, IRF7832, Si7490DP, IPD70N20S3L2

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STD70NH02LT4参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)24V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2050pF @ 25V
  • 功率 - 最大70W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称497-3165-2