STD70NH02LT4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率开关应用设计,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和良好的热稳定性。这款MOSFET采用紧凑的PowerFLAT 5x6封装,适合用于空间受限的设计。由于其优异的性能指标,该器件广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电器等场合。
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):20V
最大栅源电压(Vgs):±10V
最大连续漏极电流(Id):70A
导通电阻(Rds(on)):最大2.1mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:PowerFLAT 5x6
STD70NH02LT4具有低导通电阻,使得在高电流工作条件下能够保持较低的导通损耗,从而提高整体系统的效率。
其高耐流能力允许在大电流负载下稳定工作,适用于如高功率密度电源和电机驱动等应用。
该MOSFET采用了先进的沟槽栅技术,提供了卓越的开关性能,降低了开关损耗并提高了响应速度。
PowerFLAT封装具有优异的热管理能力,能够在较高的环境温度下稳定运行,同时由于封装尺寸较小,非常适合用于高密度PCB布局。
此外,该器件具有较高的雪崩能量耐受能力,增强了在突发负载或电感负载切换时的可靠性。
器件的栅极设计优化,使其在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗和电磁干扰(EMI)。
整体来看,STD70NH02LT4是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,适用于多种现代电力电子系统。
该器件广泛应用于各类电力电子设备中,如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、UPS不间断电源、工业自动化控制系统以及汽车电子中的功率控制模块。
由于其出色的导通性能和封装尺寸的紧凑性,特别适合用于高频率、高效率的开关电源设计。
在新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车的充电系统中,该MOSFET也常用于功率开关和负载管理。
此外,其在电源管理IC(PMIC)配合下的高效能表现,使其成为便携式设备和嵌入式系统中电源管理部分的理想选择。
在工业控制方面,它也被用于电机控制、伺服驱动器以及各类自动化设备中的功率切换电路。
STL70NH02LT4, IRF7832, Si7490DP, IPD70N20S3L2