STD70N6F3是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景中。其低导通电阻和高效率特性使其成为许多功率转换应用的理想选择。
这款MOSFET的额定电压为60V,额定电流为70A,能够在高频开关条件下提供优异的性能表现。同时,它具有较低的栅极电荷和输出电容,从而优化了动态性能并降低了开关损耗。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:70A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅源开启电压(典型值):2.8V
总栅极电荷:48nC
输出电容:1100pF
工作结温范围:-55℃至175℃
STD70N6F3具有以下主要特性:
1. 高电流处理能力,额定电流高达70A,适用于大功率应用场景。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
3. 优化的动态性能,包括较低的栅极电荷和输出电容,使开关速度更快且开关损耗更低。
4. 良好的热稳定性,能够承受较高的工作温度范围(-55℃至175℃)。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
6. TO-220封装形式,便于安装和散热管理。
STD70N6F3适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 各种DC-DC转换器中的同步整流元件。
4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. LED照明驱动电路中的开关元件。
IRFZ44N
STP70NF6
FDP70N6