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STD70N6F3 发布时间 时间:2025/6/25 13:40:32 查看 阅读:9

STD70N6F3是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景中。其低导通电阻和高效率特性使其成为许多功率转换应用的理想选择。
  这款MOSFET的额定电压为60V,额定电流为70A,能够在高频开关条件下提供优异的性能表现。同时,它具有较低的栅极电荷和输出电容,从而优化了动态性能并降低了开关损耗。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:70A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅源开启电压(典型值):2.8V
  总栅极电荷:48nC
  输出电容:1100pF
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

STD70N6F3具有以下主要特性:
  1. 高电流处理能力,额定电流高达70A,适用于大功率应用场景。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  3. 优化的动态性能,包括较低的栅极电荷和输出电容,使开关速度更快且开关损耗更低。
  4. 良好的热稳定性,能够承受较高的工作温度范围(-55℃至175℃)。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. TO-220封装形式,便于安装和散热管理。

应用

STD70N6F3适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 各种DC-DC转换器中的同步整流元件。
  4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. LED照明驱动电路中的开关元件。

替代型号

IRFZ44N
  STP70NF6
  FDP70N6

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STD70N6F3参数

  • 其它有关文件STD70N6F3 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™ III
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C70A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫欧 @ 35A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2200pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-12240-6