时间：2024/8/16 14:12:09
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这些超高压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh?K5技术设计。其结果是，对于需要高功率密度和高效率的应用，导通电阻和超低栅极电荷显著降低。
业界最低的RDS（on）
行业最佳业绩指标（FoM）
超低栅极电荷
100%雪崩测试
齐纳保护
通道数：1
针脚数：3
漏源极电阻：1.6Ω
极性：N-CH
耗散功率：110 W
阈值电压：4 V
漏源极电压(Vds)：800 V
漏源击穿电压：800 V
连续漏极电流(Ids)：4.5A
输入电容(Ciss)：255pF 100V(Vds)
额定功率(Max)：110 W
工作温度(Max):150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：85W(Tc)
安装方式：Surface Mount
引脚数：3
封装：TO-252-3
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
产品生命周期：Active
包装方式：Tape&Reel(TR)
