时间：2025/6/25 16:38:46
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STD60NF06T4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TOLL 封装形式，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，适用于各种开关电源、电机驱动以及负载开关等应用领域。它能够在高频工作条件下保持高效性能，并且具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：92A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷：78nC
总电容（输入电容）：2580pF
功耗：15W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TOLL
STD60NF06T4 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在大电流应用中能够显著降低传导损耗并提高整体效率。
其设计支持高频操作，同时优化了开关时间和动态特性以减少开关损耗。
由于采用了先进的封装技术，这款功率 MOSFET 可以实现高效的散热管理，适合高温环境下的使用。
此外，STD60NF06T4 提供了卓越的短路耐受能力和鲁棒性，使其在严苛工况下也能可靠运行。
该器件还符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
STD60NF06T4 广泛应用于以下场景：
1. 开关电源（ 转换器
2. 电动车辆中的电机控制与逆变器
3. 工业自动化设备中的负载开关
4. 高效功率因数校正（PFC）电路
5. 太阳能逆变器及储能管理系统
6. 各类需要高性能功率转换的应用
STD60NF06L
IRFB4110TRPBF
FDPF61N06S
