时间：2025/7/22 13:31:27
阅读：13
STD5NM50Z-T4是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要用于高电压和高电流的应用，具备优良的热稳定性和电性能。其封装形式为TO-220，适合用于散热要求较高的场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：5A
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω @ Vgs = 10V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
STD5NM50Z-T4具有低导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。该器件采用了先进的平面技术，提供了卓越的稳定性和耐用性。
此外，该MOSFET具备较高的热阻能力，使其在高温环境下依然能保持稳定的工作状态。其TO-220封装有助于良好的散热性能，确保器件在高负载条件下也能可靠运行。
该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和过载保护功能，适用于需要高可靠性和稳定性的工业和消费类应用。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与各种控制器和驱动电路集成。
该器件广泛应用于电源管理领域，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器等设备中。此外，它也适用于电机控制、照明系统、工业自动化设备以及各种高电压和高电流的功率电子系统。
STD5NM50Z、STD5NM50N-T4、STP5NM50Z、STF5NM50N
