STD5406NT4G 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沛体晶体管(NPN Transistor)。该晶体管设计用于高频和高功率应用场合,广泛适用于射频(RF)放大器、开关电路以及其他需要高性能的电子系统。其采用 TO-263 封装形式,具有较高的电流增益和出色的热稳定性。
TO-263 封装通常被称为 D2PAK 或 SMD 封装,适合表面贴装技术(SMT),能够满足现代电子产品对小型化和高效散热的需求极-发射极电压(Vce):80V
集电极电流(Ic):10A
直流电流增益(hFE):最小值 100
功率耗散(Ptot):150W
过渡频率(fT):150MHz
结温范围(Tj):-55℃ 至 +150℃
存储温度范围(Tstg):-55℃ 至 +150℃
STD5406NT4G 的主要特性包括:
1. 高电流增益,确保在低基极驱动下实现高效的电流放大。
2. 高频响应能力,适合用于射频放大器和其他高频电路。
3. 大功率处理能力,能够在高达 150W 的功率下稳定运行。
4. 热稳定性出色,可适应较宽的工作温度范围。
5. 表面贴装封装(TO-263),简化了 PCB 设计并提升了生产效率。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
STD5406NT4G 主要应用于以下领域:
1. 射频功率放大器。
2. 开关电源中的高速开关。
3. 通信设备中的信号放大。
4. 工业控制中的驱动电路。
5. 汽车电子系统的功率控制模块。
6. 音频功率放大器及其他需要高性能晶体管的应用场景。
STD5406N4G, BD857CZ, KSP54H