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STD5406NT4G 发布时间 时间:2025/5/13 16:58:01 查看 阅读:4

STD5406NT4G 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沛体晶体管(NPN Transistor)。该晶体管设计用于高频和高功率应用场合,广泛适用于射频(RF)放大器、开关电路以及其他需要高性能的电子系统。其采用 TO-263 封装形式,具有较高的电流增益和出色的热稳定性。
  TO-263 封装通常被称为 D2PAK 或 SMD 封装,适合表面贴装技术(SMT),能够满足现代电子产品对小型化和高效散热的需求极-发射极电压(Vce):80V
  集电极电流(Ic):10A
  直流电流增益(hFE):最小值 100
  功率耗散(Ptot):150W
  过渡频率(fT):150MHz
  结温范围(Tj):-55℃ 至 +150℃
  存储温度范围(Tstg):-55℃ 至 +150℃

特性

STD5406NT4G 的主要特性包括:
  1. 高电流增益,确保在低基极驱动下实现高效的电流放大。
  2. 高频响应能力,适合用于射频放大器和其他高频电路。
  3. 大功率处理能力,能够在高达 150W 的功率下稳定运行。
  4. 热稳定性出色,可适应较宽的工作温度范围。
  5. 表面贴装封装(TO-263),简化了 PCB 设计并提升了生产效率。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

STD5406NT4G 主要应用于以下领域:
  1. 射频功率放大器。
  2. 开关电源中的高速开关。
  3. 通信设备中的信号放大。
  4. 工业控制中的驱动电路。
  5. 汽车电子系统的功率控制模块。
  6. 音频功率放大器及其他需要高性能晶体管的应用场景。

替代型号

STD5406N4G, BD857CZ, KSP54H

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STD5406NT4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C70A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 32V
  • 功率 - 最大3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)